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IPA60R600P7实物图
  • IPA60R600P7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R600P7

600V CoolMOS P7功率器件

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描述
CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。
商品型号
IPA60R600P7
商品编号
C536387
商品封装
TO-220FP-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V,1.7A
耗散功率(Pd)21W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)363pF@400V
反向传输电容(Crss)149pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)7pF

商品概述

CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时具有出色的耐用性以及优秀的静电放电(ESD)能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

  • 由于具有出色的换向耐用性,适用于硬开关和软开关(功率因数校正PFC和 LLC谐振电路)
  • 显著降低开关和传导损耗
  • 所有产品的ESD耐用性出色,人体模型(HBM)静电放电耐压>2kV
  • 低RDS(on)A(低于1欧姆平方毫米)使得与竞品相比,具有更优的RDS(on)/封装产品

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级
  • 用于个人电脑主机、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源(UPS)的谐振开关级

数据手册PDF