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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V,16A | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TO220 Fullpak封装下全球最佳的导通电阻（RDS(on)）
- 超低栅极电荷
- 极高的dv/dt额定值
- 高脉冲电流能力
- 符合JEDEC工业级应用标准
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；无卤模塑料
应用领域
- 硬开关开关电源拓扑