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IPA60R120C7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R120C7

IPA60R120C7

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商品型号
IPA60R120C7
商品编号
C536346
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V,7.8A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)34nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF@400V
反向传输电容(Crss)515pF@400V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS C7是高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。 600V CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。 600V C7是首款导通电阻RDS(on)与芯片面积A的乘积低于1Ω·mm²的技术。

商品特性

~~- 适用于硬开关和软开关(PFC和高性能LLC)-将MOSFET的dv/dt鲁棒性提升至120V/ns-凭借同类最佳的品质因数RDS(ON)*Eoss和RDS(ON)*Qg提高效率-同类最佳的导通电阻RDS(ON)/封装

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的PFC级和PWM级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域。

数据手册PDF