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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPA60R099P6

高压功率MOSFET,采用超结原理设计,低开关和传导损耗,适用于多种开关应用

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商品型号
IPA60R099P6
商品编号
C536344
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
3.346032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V
耗散功率(Pd)34W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)70nC@400V
输入电容(Ciss)3.33nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新成果。所提供的器件在不牺牲易用性的同时,具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热良好。

商品特性

  • 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
  • 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
  • 极高的换向鲁棒性
  • 易于使用/驱动
  • 无铅镀层,无卤模塑料
  • 符合JEDEC(J-STD20和JESD22)工业级应用标准

应用领域

  • 例如用于PC主机、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和UPS的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。

数据手册PDF