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IPA60R060C7

IPA60R060C7

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商品型号
IPA60R060C7
商品编号
C536339
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)34W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)68nC@10V
输入电容(Ciss)2.85nF
反向传输电容(Crss)1.05nF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

CoolMOS™ C7 是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS™ C7 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新。600V C7 是首款导通电阻 RDS(on) 与芯片面积 A 的乘积低于 1Ω·mm² 的技术。

商品特性

  • 适用于硬开关和软开关(PFC 和高性能 LLC)
  • 将 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性提升至 120V/ns
  • 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 提高效率
  • 同类最佳的导通电阻 RDS(on)/封装

应用领域

  • 用于高功率/高性能开关电源(SMPS)的 PFC 级和 PWM 级(TTF、LLC),如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能领域。

数据手册PDF