IPA320N20NM3S
IPA320N20NM3S
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA320N20NM3S
- 商品编号
- C536328
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- N沟道，标准电平
- 100%经过雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求