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IPA083N10N5
100V功率晶体管
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）乘积。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据JEDEC认证，适用于目标应用。 根据IEC61249-2-21标准，无卤素
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA083N10N5
- 商品编号
- C536320
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,44A | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.73nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 337pF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道，常态电平
- 经过 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 按照 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
- 按照 IEC61249 - 2 - 21 标准为无卤产品