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IGW50N65F5
650V 80A
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- 描述
- 特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。 不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGW50N65F5
- 商品编号
- C536107
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.50125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 305W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 175ns | |
| 导通损耗(Eon) | 490uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 160uJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |