- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IGZ50N65H5
IGZ50N65H5
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGZ50N65H5
- 商品编号
- C536114
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 273W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 85A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.1nF | |
| 输出电容(Coes) | 53pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 410uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 190uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |