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IHW30N110R3
1.1kV 60A
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- 描述
- 特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 非常紧密的参数分布。 高耐用性，温度稳定。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。 低电磁干扰。应用：感应烹饪。 逆变微波炉
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IHW30N110R3
- 商品编号
- C536122
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.1kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 输出电容(Coes) | 55pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 90A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@30A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@0.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 1.46nF | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 350ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.15mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 45pF |