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IHW30N110R3实物图
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IHW30N110R3

1.1kV 60A

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描述
特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
商品型号
IHW30N110R3
商品编号
C536122
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
耗散功率(Pd)333W
集射极击穿电压(Vces)1.1kV
集电极电流(Ic)60A
集射极饱和电压(VCE(sat))1.75V@30A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))5.1V@0.7mA
栅极电荷量(Qg)180nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)1.46nF
输出电容(Coes)55pF
反向传输电容(Cres)45pF
关断延迟时间(Td(off))350ns
关断损耗(Eoff)1.15mJ
工作温度-40℃~+175℃

数据手册PDF