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IKB15N65EH5
650V 30A
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- 描述
- 特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷（QG）。IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKB15N65EH5
- 商品编号
- C536145
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 输出电容(Coes) | 24pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 45A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@15A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 930pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 145ns | |
| 导通损耗(Eon) | 400uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 80uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 4pF |