- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IKFW50N60DH3E
采用TRENCHSTOP技术的高速开关系列第三代IGBT，与快速软恢复反并联二极管共封装于全隔离封装中，具备低EMI特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKFW50N60DH3E
- 商品编号
- C536178
- 商品封装
- HSIP-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 440uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.704nF | |
| 输出电容(Coes) | 73pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 48pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 174ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.28mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 560uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 64ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |