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IKP08N65F5
650V 18A
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- 描述
- 特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。符合JEDEC针对目标应用的标准。应用：太阳能转换器。不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKP08N65F5
- 商品编号
- C536188
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 18A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输出电容(Coes) | 16pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 24A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@8A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.08mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 500pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 9ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 116ns | |
| 导通损耗(Eon) | 40uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 20uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 41ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 3pF |
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