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IKP20N65H5
650V 42A
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- 描述
- 特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKP20N65H5
- 商品编号
- C536195
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 42A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@200uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@20A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 156ns | |
| 导通损耗(Eon) | 170uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 60uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 52ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
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