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IKW50N65WR5
650V 80A
- 描述
- 特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW50N65WR5
- 商品编号
- C536220
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.357917克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 282W | |
| 输出电容(Coes) | 55pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 150A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 230nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.14nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 417ns | |
| 导通损耗(Eon) | 840uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 220uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 110ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(30个/管，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个30个/管
总价金额：
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