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IKY50N120CH3
1.2kV 100A
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- 描述
- 特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术，具有超低开关损耗。在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。在Tvj = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷QG。应用：工业不间断电源。 充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKY50N120CH3
- 商品编号
- C536224
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 652W | |
| 输出电容(Coes) | 355pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.35V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@1.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.269nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 32ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 296ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 255ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 199pF |
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