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IKZ75N65ES5
TRENCHSTOP 5软开关绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
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- 描述
- 特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：工业不间断电源（UPS）。 工业开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKZ75N65ES5
- 商品编号
- C536231
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.75mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 405ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 72ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |