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IRG4BC30FDSTRRP
集成超快超软恢复反并联二极管的n沟道绝缘栅双极晶体管，适用于桥接配置，四代IGBT设计，效率高，无铅
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRG4BC30FDSTRRP
- 商品编号
- C538086
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 2.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 31A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@17A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 11.5pF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 74pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 14pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 230ns | |
| 导通损耗(Eon) | 630uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.39mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 42ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |