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IRL1004PBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:130A
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- 描述
- 第五代 HEXFET 功率 MOSFET 采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积的最低导通电阻。这一优势，加上 HEXFET 功率 MOSFET 闻名遐迩的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了极其高效可靠的器件，适用于各种应用。TO-220 封装是所有商业和工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业中广受欢迎。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL1004PBF
- 商品编号
- C538105
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V,78A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 TO - 220封装在功率耗散水平约达50瓦的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅