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IRL2505STRLPBF实物图
  • IRL2505STRLPBF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRL2505STRLPBF

1个N沟道 耐压:55V 电流:104A 停产

商品型号
IRL2505STRLPBF
商品编号
C538110
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)104A
导通电阻(RDS(on))8mΩ@10V,54A
耗散功率(Pd)3.8W;200W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)130nC@5V
输入电容(Ciss)5nF@25V
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

国际整流器公司(International Rectifier)的第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,适用于各种应用。 D²Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中,具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D²Pak适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本(IRL2505L)适用于薄型应用。

商品特性

  • 逻辑电平栅极驱动
  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装(IRL2505S)
  • 薄型通孔(IRL2505L)
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • 全雪崩额定
  • 无铅

数据手册PDF