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IRL7472L1TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRL7472L1TRPBF

1个N沟道 耐压:40V 电流:375A

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描述
特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 完全表征了电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
商品型号
IRL7472L1TRPBF
商品编号
C538140
商品封装
WHSON-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)375A
导通电阻(RDS(on))0.7mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)341W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)330nC
输入电容(Ciss)20.082nF
反向传输电容(Crss)1.594nF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 针对逻辑电平驱动进行优化
  • 改善栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性
  • 全面表征电容和雪崩安全工作区
  • 增强体二极管dv/dt和di/dt能力
  • 无铅,符合RoHS标准

应用领域

  • 有刷电机驱动应用
  • 无刷直流电机驱动应用
  • 电池供电电路
  • 半桥和全桥拓扑结构
  • 同步整流器应用
  • 谐振模式电源
  • 或门和冗余电源开关
  • 直流/直流和交流/直流转换器
  • 直流/交流逆变器

数据手册PDF