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IRLB3036PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
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- 描述
- 特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。 在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLB3036PBF
- 商品编号
- C538145
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 380W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数：导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）乘以输出电容能量（Eoss）；降低栅极电荷（Qg）、输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）
- 一流的DPAK导通状态下的漏源电阻（RDS(on)）
- 一流的栅源阈值电压（V(GS)th）为3V，且V(GS)th变化最小，仅为±0.5V
- 集成齐纳二极管静电放电保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 推荐用于LED照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。
- 也适用于消费类应用和太阳能的功率因数校正（PFC）级。