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IRLR024NTRLPBF

1个N沟道耐压:55V 电流:17A

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描述: 第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。D-PAK专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRLR024NTRLPBF
商品编号: C538161
商品封装: DPAK(TO-252AA)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.46克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

逻辑电平栅极驱动
表面贴装（IRLR024N）
直引脚（IRLU024N）
先进的工艺技术
快速开关
全雪崩额定
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	55V
	连续漏极电流(Id)	17A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V,10A
	耗散功率(Pd)	45W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	15nC
	输入电容(Ciss)	480pF
	反向传输电容(Crss)	61pF
	工作温度	-55℃~+175℃