IRLR8103VTRPBF
IRLR8103VTRPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR8103VTRPBF
- 商品编号
- C538179
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品概述
这款新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术，实现了导通电阻和栅极电荷前所未有的平衡。降低的导通和开关损耗使其成为为新一代微处理器供电的高效DC-DC转换器的理想选择。 IRLR8103V针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化，包括RDS(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。IRLR8103V在Qsw和RDS(on)方面的组合极低，可降低控制和同步FET应用中的损耗。 该封装设计适用于气相、红外、对流或波峰焊工艺。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可能超过2W。
商品特性
- 适用于CPU核心DC-DC转换器
- 低导通损耗
- 低开关损耗
- 可减少大电流应用中并联MOSFET的数量
- 100%进行RG测试
- 无铅
应用领域
-CPU核心DC-DC转换器