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ISP25DP06LM
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.9A
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- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VDS-4.5V。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 增强模式。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISP25DP06LM
- 商品编号
- C538449
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@1.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- P沟道
- 在VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(on)极低
- 100%雪崩测试
- 逻辑电平
- 增强型
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准，无卤素