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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 极高的 dv/dt 额定值
- 高峰值电流能力
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 超低栅极电荷
- 超低有效电容
- 全隔离封装(2500 VAC;1 分钟)
应用领域
-高直流母线电压的工业应用-开关应用(如有源钳位正激电路)