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SPA11N65C3
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 特性：新的革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的 dv/dt 额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPA11N65C3
- 商品编号
- C539285
- 商品封装
- TO-220FPAB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.103571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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