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SPB11N60C3
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- 特性：全新革命性高压技术。 超低栅极电荷。 周期性雪崩额定。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 改进的跨导。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPB11N60C3
- 商品编号
- C539289
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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