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SPD08P06P G
1个P沟道 耐压:60V
- 描述
- 特性：P沟道增强模式。 雪崩额定。 dv/dt额定。 工作温度175℃。 无铅引脚表面处理，符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD08P06P G
- 商品编号
- C539300
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@6.2V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- P沟道
- 增强型
- 雪崩额定值
- dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 无铅引脚涂层;符合RoHS标准
- 符合AEC Q101标准