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ISZ0901NLS
ISZ0901NLS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ0901NLS
- 商品编号
- C538465
- 商品封装
- TSDSON-8-EP(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对充电器应用进行优化
- 适用于高频开关电源的极低品质因数 QOSS
- 适用于高频开关电源的低 FOMsw
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 在 VGS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)
- 经过 100% 雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N 沟道
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品