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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 247A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-全特性表征电容和雪崩安全工作区-增强体二极管 dv/dt 和 dI/dt 能力-无铅,符合 RoHS 标准
应用领域
-有刷电机驱动应用-无刷直流电机驱动应用-电池供电电路-半桥和全桥拓扑-同步整流器应用-谐振模式电源-或门和冗余电源开关-DC/DC 和 AC/DC 转换器-DC/AC 逆变器