IRLU9343PBF
1个P沟道 耐压:55V 电流:20A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLU9343PBF
- 商品编号
- C538196
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款数字音频HEXFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术,以实现单位硅面积的低导通电阻。此外,对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以改善D类音频放大器的关键性能指标,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合,使该MOSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低导通电阻RDSON,提高效率
- 低栅极电荷Qg和开关电荷Qsw,改善总谐波失真(THD)并提高效率
- 低反向恢复电荷Qrr,改善总谐波失真(THD)并降低电磁干扰(EMI)
- 175°C工作结温,增强耐用性
- 重复雪崩能力,确保耐用性和可靠性
- 多种封装选项
- 无铅
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源