温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ISP12DP06NM
1个P沟道 耐压:60V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：P沟道。极低导通电阻RDS(on)。100%雪崩测试。正常电平。增强模式。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISP12DP06NM
- 商品编号
- C538447
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- P沟道
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩测试
- 增强模式
- 无铅引脚电镀，符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21无卤