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IRLR3410TRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR3410TRLPBF
- 商品编号
- C538170
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 79W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积下尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 超低导通电阻
- 表面贴装（IRLR3410）
- 直引脚（IRLU3410）
- 先进的工艺技术
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅