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IRLR2705TRLPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:28A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极为高效的器件，可广泛应用于各种领域。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLR2705TRLPBF
- 商品编号
- C538164
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@5.0V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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