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IRLI540NPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:23A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLI540NPBF
- 商品编号
- C538155
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 TO - 220全塑封封装消除了商业 - 工业应用中额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在散热片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米云母屏障。全塑封封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅