IRLL2703TRPBF
IRLL2703TRPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLL2703TRPBF
- 商品编号
- C538158
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,3.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计与其他SOT或SOIC封装一样，便于自动拾放，并且由于散热片采用了加大的接片，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功耗可达1.0W。
商品特性
~~- 表面贴装-先进的工艺技术-超低导通电阻-动态dv/dt额定值-快速开关-全雪崩额定-无铅