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IRLHM620TRPBF
1个N沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：低导通电阻 (RDSon < 2.5mΩ)。 低至印刷电路板的热阻 (<3.4℃/W)。 低外形 (< 1.0 mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴和无卤素。应用：电池供电的直流电机逆变器MOSFET。 二次侧同步整流MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLHM620TRPBF
- 商品编号
- C538149
- 商品封装
- PQFN-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 620pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
应用领域
- 电池供电直流电机逆变器MOSFET-次级侧同步整流MOSFET