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IRL80HS120
1个N沟道 耐压:80V 电流:12.5A
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- 描述
- 特性：更高的功率密度设计。 更高的开关频率。 使用OptiMOS 5芯片。 在有5V电源的地方减少零件数量。 可直接由微控制器驱动（慢速开关）。 降低系统成本。应用：无线充电。 适配器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL80HS120
- 商品编号
- C538143
- 商品封装
- TSDSON-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 更高功率密度设计
- 更高开关频率
- 使用 OptiMOS 5 芯片
- 在有 5V 电源的地方减少元件数量
- 可直接由微控制器驱动(慢速开关)
- 降低系统成本
应用领域
- 无线充电
- 适配器
- 电信