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IRL60B216
HEXFET功率MOSFET
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- 描述
- 特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 具备完整的电容和雪崩 SOA 特性。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL60B216
- 商品编号
- C538132
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 305A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 258nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |