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IRL60HS118
适用于无线充电、适配器和电信的高功率密度、高开关频率MOSFET，采用OptiMOS 5芯片
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL60HS118
- 商品编号
- C538134
- 商品封装
- PQFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 11.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 更高功率密度设计
- 更高开关频率
- 使用OptiMOSTM5芯片
- 在有5V电源的地方减少元件数量
- 可直接由微控制器驱动(慢速开关)
- 降低系统成本
应用领域
- 无线充电
- 适配器
- 电信