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IRL6297SDTRPBF
2个N沟道 耐压:20V 电流:58A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL6297SDTRPBF
- 商品编号
- C538138
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.245nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 395pF@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品概述
IRL6297SDPbF将最新的HEXFET® N沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在尺寸小于SO - 8且高度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%。
商品特性
~~- 环保产品-符合RoHS标准,无卤素-双共漏极N沟道MOSFET提供高度集成和极低的导通电阻RDS(ON)
应用领域
- 电池应用的充放电开关-输入电源或电池应用的隔离开关