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IKQ75N120CT2
1.2kV 150A
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- 描述
- 特性：非常低的VCE(sat)，标称电流下为1.75V。 在Tv = 175℃时，短路耐受时间为10μs。 由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。 低EMI。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175℃。应用：通用驱动器（GPD）。 伺服驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKQ75N120CT2
- 商品编号
- C536208
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 耗散功率(Pd) | 938W | |
| 输出电容(Coes) | 505pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V@2.6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 370nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.856nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 326ns | |
| 导通损耗(Eon) | 6.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 320ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 290pF |
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