温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IKW50N65EH5
650V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW50N65EH5
- 商品编号
- C536218
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 275W | |
| 输出电容(Coes) | 90pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 200A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 172ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 500uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 81ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF |