温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IKFW75N60ET
600V 80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。 短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。 集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。 低电磁干扰（EMI）。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 最高结温为175℃。应用：通用驱动器（GPD）。 伺服驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKFW75N60ET
- 商品编号
- C536183
- 商品封装
- TO-247-3-AI
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 输出电容(Coes) | 215pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 225A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.1V@1.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 440nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.726nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 33ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 340ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 107ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 127pF |
优惠活动
购买数量
(240个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个240个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单