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IKFW90N60EH3
高速开关系列第三代IGBT与快速1型快速软反并联二极管共封装
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- 描述
- 特性：低VCE(sat)。 短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温：175℃。应用：通用驱动器（GPD）。 伺服驱动器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKFW90N60EH3
- 商品编号
- C536184
- 商品封装
- TO-247-3-AI
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 输出电容(Coes) | 215pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 300A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.3V@75A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.1V@1.2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 440nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.726nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 32ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 210ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.65mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 107ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 127pF |
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