- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IKD06N60R
适用于硬开关应用的集成二极管IGBT，采用节省空间的封装，具备TRENCHSTOP反向导通技术
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKD06N60R
- 商品编号
- C536168
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 18A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 470pF | |
| 输出电容(Coes) | 24pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 14pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 127ns | |
| 导通损耗(Eon) | 110uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 220uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 68ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |