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IKA08N65ET6
TRENCHSTOP IGBT6 绝缘栅双极型晶体管
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- 描述
- 特性：极低的集电极发射极饱和电压（VCE(sat)）：1.5V（典型值）。 最高结温：175℃。 短路耐受时间：3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极发射极饱和电压（VCEsat）和正温度系数。应用：驱动器。 通用驱动器（GPD）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKA08N65ET6
- 商品编号
- C536134
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.5W | |
| 输出电容(Coes) | 29pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 25A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V@0.12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 480pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 59ns | |
| 导通损耗(Eon) | 110uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 40uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 43ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 8pF |