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IKA10N65ET6
650V 25A
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- 描述
- 特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。 最高结温：175℃。 短路耐受时间：3μs。 适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有非常紧密的参数分布。 高耐用性和温度稳定性。 低集电极-发射极饱和电压VCEsat和正温度系数。应用：驱动器-通用驱动器。 大型家用电器：空调等
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKA10N65ET6
- 商品编号
- C536137
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | 32.5W | |
| 输出电容(Coes) | 41pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 42.5A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@8.5A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.8V@0.15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | 200uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 70uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 51ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 12pF |