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IGW75N60T
采用TRENCHSTOP和场截止技术的低损耗IGBT，适用于变频器和不间断电源，具有低损耗、高开关速度、低EMI等特点
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGW75N60T
- 商品编号
- C536111
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 428W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 40uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 470nC@480V | |
| 输入电容(Cies) | 4.62nF | |
| 输出电容(Coes) | 288pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 137pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 33ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 330ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.5mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |